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《微電子學(xué)與計(jì)算機(jī)》雜志級(jí)別：CSCD 北大核心，主辦單位：華北計(jì)算技術(shù)研究所，周期：旬刊，國(guó)內(nèi)統(tǒng)一刊號(hào)：11-2127/TP，國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)刊號(hào)：1002-8331。復(fù)合影響因子：0.709，綜合影響因子：0.446。
《微電子學(xué)與計(jì)算機(jī)》簡(jiǎn)介：《微電子學(xué)與計(jì)算機(jī)》宗旨是，嚴(yán)謹(jǐn)認(rèn)真，求實(shí)創(chuàng)新;以人為本，研以致用;弘揚(yáng)科學(xué)，追求真理。本刊國(guó)內(nèi)公開(kāi)發(fā)行，面向科研院所，廠(chǎng)礦技術(shù)人員、院校師生和管理人員，及時(shí)提供國(guó)內(nèi)微電子與計(jì)算機(jī)行業(yè)最新科研成果、學(xué)術(shù)與工程技術(shù)動(dòng)態(tài)，是較為實(shí)用的參考資料和科學(xué)決策的準(zhǔn)確依據(jù)。
《微電子學(xué)與計(jì)算機(jī)》主要欄目：研究與分析、應(yīng)用與開(kāi)發(fā)、網(wǎng)絡(luò)技術(shù)、微電子技術(shù)、開(kāi)發(fā)與應(yīng)用、可靠性技術(shù)。
《微電子學(xué)與計(jì)算機(jī)》收錄情況：JST 日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)庫(kù)(日)(2012年計(jì)劃收錄)、中國(guó)科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫(kù)(CSCD—2008)。
最新目錄
1 數(shù)字信號(hào)處理器片上流預(yù)取存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)……………………………………… 劉華杰,謝 憬,毛志剛 1-4
2 基于Load重用的低功耗數(shù)據(jù)Cache設(shè)計(jì)……………………………………… 李泉泉,薛志遠(yuǎn),張鐵軍,等 5-7+11
3 適用于空間定位的粒子濾波算法研究及實(shí)現(xiàn)……………………………………… 雷鑑銘,黃迪,王真,等 8-11
4 基于相異度分析的網(wǎng)絡(luò)通信異常行為識(shí)別方法……………………………………… 荊 濤,李 俊 12-15
5 云存儲(chǔ)中基于 ORAM 的數(shù)據(jù)安全訪(fǎng)問(wèn)……………………………………… 李紅衛(wèi),古春生,景征駿,等 16-20
6 基于多屬性熵權(quán)合成的軟件可信等級(jí)評(píng)估方法 ……………………………………王犇,周興社,楊亞磊 21-24
7 存儲(chǔ)單元抗 TID/SEL電路加固技術(shù)面積代價(jià)研究 …………………………………王文,桑紅石,沈緒榜 25-29
8 多通道信號(hào)并行采集和萬(wàn)兆高速傳輸系統(tǒng)設(shè)計(jì)……………………………………… 胡升澤,包衛(wèi)東 30-35
9 云環(huán)境下數(shù)據(jù)隱私保護(hù)模型設(shè)計(jì) ………………………………………邵必林,趙華龍,邊根慶,等 36-39
10 面向多任務(wù)的片上簇處理器流訪(fǎng)存控制系統(tǒng)設(shè)計(jì) …………………………胡凱,謝憬,毛志剛 40-43
11 0.18μm CMOSΣ-ΔADC用數(shù)字抽取濾波器設(shè)計(jì)………………………… 劉忠超,張長(zhǎng)春,李 衛(wèi),等 44-47
12 時(shí)間與空間局部性強(qiáng)弱的量化方法……………………………………… 侯昉,黃承慧,陸寄遠(yuǎn) 48-52+56
13 高密度椒鹽噪聲圖像的二次去噪方法……………………………………… 王際朝,李奎平,喬田田 53-56
14 一種針對(duì) wedgelet重建圖像的空域自適應(yīng)去塊效應(yīng)算法……………… 謝芳,段昶,曹建蜀 57-59+63
15 多級(jí)分塊CRC的快速配置方法 ………………………………………梁海華,盤(pán)麗娜 60-63
16 一種基于內(nèi)容挖掘的社會(huì)網(wǎng)搜索框架……………………………………… 王 文,王樹(shù)鋒,莊燕濱 64-67
17 本體概念間上下位關(guān)系抽取研究……………………………………… 湯 青,呂學(xué)強(qiáng),李 卓 68-71
18 一種集成電路靜態(tài)老化測(cè)試的輸入矢量選取方法………………………… 崔小樂(lè),李 紅,史新明,等 72-76
19 一種基于遞歸反演的二維圖像自適應(yīng)算法……………………………………… 賴(lài)錦輝,梁 松 77-80
20 AODV路由協(xié)議路由表的改進(jìn)及研究 ………………………………………余本功,孟繁莉 81-83+90
《微電子學(xué)與計(jì)算機(jī)》稿件格式要求
1. 來(lái)稿內(nèi)容應(yīng)有較高學(xué)術(shù)水平,有創(chuàng)新之處,表達(dá)上做到主題突出、觀點(diǎn)明確、論據(jù)充分、結(jié)構(gòu)合理、層次清楚、語(yǔ)言通順、文字簡(jiǎn)練。
2. 作者投稿需向編輯部提供一份聲明:稿件內(nèi)容屬于作者的科研成果,署名無(wú)爭(zhēng)議,且未公開(kāi)發(fā)表過(guò)。
3. 來(lái)稿一般不超過(guò)8 000 字(含圖、表) ,內(nèi)容包括:中英文題目、中文作者姓名及漢語(yǔ)拼音的作者姓名、作者單位及英文譯名、作者簡(jiǎn)介(性別、出生年份、學(xué)位、職稱(chēng)及研究方向) 、中英文摘要(250 字左右) 、關(guān)鍵詞(3～8 個(gè)) 、中圖分類(lèi)號(hào)、正文、參考文獻(xiàn)。如為基金項(xiàng)目資助論文,請(qǐng)?jiān)谖母迨醉?yè)注明,并列出批準(zhǔn)文號(hào)。
4. 摘要應(yīng)說(shuō)明論文的目的、方法、結(jié)果與結(jié)論。英文摘要的內(nèi)容需與中文一致。
5. 文中的量與單位應(yīng)符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。外文字母必須分清大小寫(xiě)、正斜體(包括黑正體、黑斜體及白正體、白斜體) ;上下角的字母、數(shù)字和符號(hào),其位置高低應(yīng)區(qū)分明顯。
6. 圖、表不超過(guò)6 幅;圖、表須有名稱(chēng)和編號(hào),其內(nèi)容要與正文中的編號(hào)和說(shuō)明一致;插圖和照片必須是清繪圖和原照片,繪制符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),最好控制在7. 5cm ×7. 5cm 內(nèi);有坐標(biāo)系的插圖,縱橫坐標(biāo)上均要有適宜的刻度、對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù),并標(biāo)注出其所代表的物理量和單位;表格盡量采用三線(xiàn)表的形式繪制。
7. 參考文獻(xiàn)只擇最主要的列入,一般不超過(guò)10 條,未公開(kāi)發(fā)表的資料請(qǐng)勿引用。文獻(xiàn)序號(hào)以文中出現(xiàn)的先后順序編排,文后須與正文中的一一對(duì)應(yīng)。
微電子學(xué)與計(jì)算機(jī)雜志社來(lái)稿寫(xiě)作要求
1、來(lái)稿內(nèi)容應(yīng)有較高學(xué)術(shù)水平,有創(chuàng)新之處,表達(dá)上做到主題突出、觀點(diǎn)明確、論據(jù)充分、結(jié)構(gòu)合理、層次清楚、語(yǔ)言通順、文字簡(jiǎn)練。來(lái)稿一般不超過(guò)8000字，中英文摘要250字左右，關(guān)鍵詞3～8個(gè)，圖、表不超過(guò)6幅，參考文獻(xiàn)一般不超過(guò)10條。
2、為保證本刊的權(quán)威性，杜絕任何形式的抄襲稿。稿件文責(zé)由作者自負(fù)，編輯部有權(quán)作必要的修改。未被錄用的稿件一般不退稿，請(qǐng)自留底稿。
