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期刊收錄: 不限 SCI SCIE

Ieee Electron Device Letters

Ieee Electron Device Letters
期刊全稱:Ieee Electron Device Letters
簡稱:IEEE ELECTR DEVICE L
ISSN:0741-3106
ESSN:0741-3106
研究方向:工程技術 - 工程:電子與電氣
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Ieee Electron Device Letters英文簡介

IEEE Electron Device Letters publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors.

Ieee Electron Device Letters中文簡介

《Ieee Electron Device Letters》是一本由IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC出版商出版的專業工程技術期刊,該刊創刊于1980年,刊期Monthly,該刊已被國際權威數據庫SCI、SCIE收錄。在中科院最新升級版分區表中,該刊分區信息為大類學科:工程技術 2區,小類學科:工程:電子與電氣 2區;在JCR(Journal Citation Reports)分區等級為Q1。該刊發文范圍涵蓋工程:電子與電氣等領域,旨在及時、準確、全面地報道國內外工程:電子與電氣工作者在該領域取得的最新研究成果、工作進展及學術動態、技術革新等,促進學術交流,鼓勵學術創新。2021年影響因子為4.816,平均審稿速度約1.3個月。

中科院分區最新升級版(當前數據版本:2021年12月最新升級版)

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工程技術 2區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區

JCR分區(當前數據版本:2021-2022年最新版)

JCR分區等級 JCR所屬學科 分區 影響因子
Q1 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC Q1 4.816

期刊指數

影響因子 h-index Gold OA文章占比 研究類文章占比 OA開放訪問 平均審稿速度
4.816 135 2.60% 100.00% 未開放 約1.3個月

IF值(影響因子)趨勢圖

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